Смотреть больше слов в «Энциклопедическом словаре естествознания»
явление генерации высокочастотных колебаний электрического тока j в полупроводнике, у которого объемная Вольтамперная характеристика имеет N-об... смотреть
генерация ВЧ колебаний электрич. тока в полупроводнике с N-образнои вольт-амперной характеристикой (рис. 1). Г. э. обнаружен амер. физиком Дж. ... смотреть
возникновение ВЧ колебаний электрич. тока в ПП образце с N-образной вольтамперной характеристикой (см. рис.) под действием сильного пост. электрич. пол... смотреть
генерация высокочастотных колебаний электрич. тока в полупроводнике с N-образной вольт-амперной характеристикой (рис.). Г. э. связан с периодич. появле... смотреть
ГАННА ЭФФЕКТ, генерация высокочастотных колебаний электрического тока в полупроводнике с N-образной вольт-амперной характеристикой. Ганна эффект связан с периодическим появлением в кристалле и перемещением по нему области сильного электрического поля, которая называется доменом Ганна. Частота колебаний обратно пропорциональна длине образца. В кристалле GaAs длиной 50-30 мкм частота колебаний ~0, 3-2 ГГц. Используется в генераторах и усилителях сверхвысокой частоты. Открыт Дж. Ганном в 1963.<br><br><br>... смотреть
ГАННА эффект - генерация высокочастотных колебаний электрического тока в полупроводнике с N-образной вольт-амперной характеристикой. Ганна эффект связан с периодическим появлением в кристалле и перемещением по нему области сильного электрического поля, которая называется доменом Ганна. частота колебаний обратно пропорциональна длине образца. В кристалле GaAs длиной 50-30 мкм частота колебаний ~0,3-2 ГГц. Используется в генераторах и усилителях сверхвысокой частоты. Открыт Дж. Ганном в 1963.<br>... смотреть
ГАННА ЭФФЕКТ, генерация высокочастотных колебаний электрического тока в полупроводнике с N-образной вольт-амперной характеристикой. Ганна эффект связан с периодическим появлением в кристалле и перемещением по нему области сильного электрического поля, которая называется доменом Ганна. Частота колебаний обратно пропорциональна длине образца. В кристалле GaAs длиной 50-30 мкм частота колебаний ~0,3-2 ГГц. Используется в генераторах и усилителях сверхвысокой частоты. Открыт Дж. Ганном в 1963.... смотреть
- генерация высокочастотных колебаний электрического тока вполупроводнике с N-образной вольт-амперной характеристикой. Ганна эффектсвязан с периодическим появлением в кристалле и перемещением по немуобласти сильного электрического поля, которая называется доменом Ганна.Частота колебаний обратно пропорциональна длине образца. В кристалле GaAsдлиной 50-30 мкм частота колебаний ~0,3-2 ГГц. Используется в генераторахи усилителях сверхвысокой частоты. Открыт Дж. Ганном в 1963.... смотреть